服务描述
1.离子束刻蚀(IBE)技术的原理?
利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀
2. 离子束刻蚀(IBE)技术的优点和缺点?
a 优点:
(1)方向性好、无钻蚀、陡直度高
(2)刻蚀速率可控性好,图形分辨率高,CD可小于0.1um
(3)属于物理刻蚀,可以突破刻蚀材料的限制
(4)刻蚀过程中可改变离子束入射角来控制图形轮廓,加工特殊的结构
b 缺点:
(1)刻蚀速率慢、效率比ICP更低
(2)难以完成晶片的深刻蚀
(3)属于物理刻蚀,常常会有过刻
3.离子束刻蚀(IBE)设备的简介及主要的性能指标?
刻蚀气体:Ar
Ar+离子能量范围:0-1000eV
极限真空:< 8.5*10-5Pa
Ar+离子束有效束径:>100 mm
基片尺寸:≤6英寸,向下兼容任意规格样品
刻蚀均匀性:4英寸均匀性优于±5% ,6英寸均匀性优于±7%
刻蚀速率:通常10nm~50nm/min(与刻蚀材料和工艺有关)
倾斜角度:0~90
客户须知:
需要告知基片名称、尺寸和刻蚀数量,待刻蚀材料种类膜层结构,有无掩模、掩模材料和厚度,衬底材料
项目介绍
刻蚀加工各种金属(Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等)及其合金,以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料
样品要求
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结果展示
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