1、溅射薄膜均匀度：5%；2、Deposition Chamber压强：4.4×10-6Pa；3、Preparation chamber压强：6.7×10-4Pa；4、基片旋转：3-100rpm；5、基片加热温度：Maximum 500℃；6、四靶可以同时溅射；7、可进行氮化物与氧化物的反应溅射；8、基片最大尺寸为4"。

各种金属薄膜的溅射蒸镀；各种金属、非金属化合物薄膜的溅射沉积

面议