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集成电路GOI测试服务
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GOI是测试Oxide的抗击穿特性,一般测试oxide的击穿电压和在正常工作下的寿命. GOI共有两种测试方法,分别是Vbd和TDDB.
服务描述


 1. GOI测试结构和测试方法

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传统GOI测试结构(三层平板)

     GOI是测试Oxide的抗击穿特性,一般测试oxide的击穿电压和在正常工作下的寿命.

     GOI共有两种测试方法,分别是Vbd和TDDB.

Vbd 在栅极上施加线性电压直至氧化层击穿,Pretest voltage= X0, ramp电压到X (电场10MV/cm)。根据击穿电压分类实效模式.

l  A mode: leakage>0.1uA/mm2@pretest voltage

l  B mode:X1<Vbd<X2 breakdown definition: leakage rises by 10X or slope increases by 2X

TDDB: 测试与时间有关的击穿,施加小电压的过程中,氧化层内产生了缺陷,一定时间后发生击穿

1)         Test condition: temperature =125, 0.8Vbd hold until breakdown.

l  A mode: leakage>0.1uA/mm2@pretest voltage

l  B mode:X1<Vbd<X2 breakdown definition: leakage rises by 10X or slope increases by 2X

 

2. 测试机台及型号

序号

名称

品牌型号

备注

1

探针台

Cascade summit   12K

最大样品直径:200mm

2

半导体参数分析仪

Keysight B1500A


3

直流探针及探针座

Cascade


4

高低温系统

ATT

范围:-60~+300

 

3. 技术指标:

(1)可以测8寸Si, 测试之前需要在wafer 上制备三层平板结构,一般尺寸要大于1mm*1mm,

(2)测试之前要制备pad连线到poly(或者金属)和Si

(3)按照业界标准,至少测试100ea 样品才能得到有效的Vbd,Vbd是通过测试数据推算得到,并不是所有样品的平均值.

 

4. 测试标准:

  恒定应力寿命试验和加速寿命试验方法总则GB/T2689.1


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