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全反射X光荧光光谱分析晶圆表面金属杂质沾污
周 期:5个工作日
地 点:海淀区
价 格:3500/3个-5500/5个/点
服务描述

 1. TXRF原理及仪器

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                    1. 全反射X射线荧光光谱仪TREX 610T(Technos公司)

     TXRF(全反射X射线荧光光谱仪)激发X射线以<0.1度的原级X射线激发样品,样品置于载台上,原级射线以全反射经过载体表面,激发出X射线荧光,用样品上方的Si探探测器进行探测,通过EDXRF光谱仪进行定量分析,可以得出不同位置的表面元素杂质的种类和浓度,一般检测限在1E9at/cm3以上。

                    

2. 技术指标:

1)可以测定8寸及以下晶圆,适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等

2)元素分析范围(Na~U)

31E9 原子/cm² 检测限

4为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标

 

 Table1:TXRF仪器针对元素的检测种类及探测极限

 元素

LLD

元素

LLD

元素

LLD

  使用W靶X射线光源探测

使用Mo靶X射线光源

S

80

Fe

3.2

Br

8.0

Cl

40

Ni

2.0

Au

13

K

20

Cu

1.8

Ga

26

Ca

16

Zn

1.5

As

13

Ti

10

Pd

130

Pb

8.0

Cr

5.0

Sn

70

Ta

26

Ba

50



W

22





Pt

16

        最低检测限值为LLD*1E9 at/cm3,同时针对不同靶材可以探测不同元素

 

3. 测试标准:

  硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法GB/T24578-2015

 

4. 收费情况:

 1)按照3个点的位置坐标(1个中心+中心两侧的直径上2点),价格2500/片;

 2)按照5个点的位置坐标(1个中心+中心两侧的相互垂直直径上4点),价格3000/片;

 3)根据测试的元素不同,需要选择W靶或者Mo靶,两种靶材都用则按标准价格*2倍。


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