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半导体外延片检测服务
周 期:2个工作日
地 点:
价 格:500/小时
针对半导体外延片,包括对Si、SiGe、SiC、II-VI、III-V半导体等半导体材料的材料质量、成分、光电特性、微观结构等进行测试和表征服务。
服务描述

     1. 服务内容

          对Si、SiGe、SiC、II-VI、III-V半导体等半导体材料的材料质量、成分、光电特性、微观结构等进行测试和表征服务。

2. 检测项目

1) 材料质量XRD、HRXRD、XRD mappingAFM、TEM

2) 成分分析:XRD、AES、XPS、EDX、SIMS、Raman

3) 微观结构:SEM、FIB-SEM、FIB-TEM、EBSD等

4) 特性:PL(光致发光谱)、TRPL(时间分辨光致发光光谱)、深紫外发光光谱测试、紫外可见分光光度计、CL(阴极发光)等

5) 电学特性:四探针测试、霍尔效应、C-AFM、EL(电致发光)、低温强磁场物性测试系统(EMMS)等

3. 实验室资质

     CNAS资质证书,CMA资质证书,ISO资质证书等

4. 服务方式

1) 标准检测及认证服务:可根据相应国家或行业标准提供检测和测试报告出具服务。

2) 根据客户需求,提供定制化单项或多项整包检测服务。

 

      5. 主要设备能力及报价

 

编号

设备列表

测试项目

收费标准

国别厂家

型号

特色用途及参数

1

DXRD(摇摆曲线、双晶XRD)

1. 摇摆曲线

500/h

英国

Bede D1

适用于半导体外延片材料的测试,Si、GaAs、InP、GaN、Sapphire等的,theta-2theta扫描,联动扫描,摇摆曲线,phi扫描,RSM,mapping

2. 2theta扫描

500/h

 3. Phi扫描、RSM、Mapping

400元/小时

2

AFM

表面形貌

500元/小时

美国Veeco

D3100

表面粗糙度、表面形貌

3

SIMS

表面SIMS谱

3000元/Unit

德国IONTOF

IONTOF IV

半导体、芯片成分分析

4

XPS

研究表面元素成分、化合价态

600/pcs

美国Thermal公司

ESCALAB 250 Xi

除了H、He以外所有元素种类及成分、化合价态的分析

深度剖析

500/h

结合刻蚀,可以对材料纵深方向做分析

5

拉曼光谱仪

鉴定物质结构、与成分分析、缺陷研究、掺杂和均匀性研究

500/h

 英国 雷尼绍

Renishaw inVia Plus

光源514、633、785nm激光器,空间分辨率高,横向优于1um,纵向优于 2um,具有mapping功能

6

紫外可见分光光度计

材料透射光谱

50元/谱线

北京普析

TU-1901

用于测试材料吸收谱,波长范围200nm~800nm。

材料吸收光谱

50元/谱线

7

PL(光致发光谱)

室温PL

300/pcs

美国PI公司

SP-2500i

激光器波长,325nm、405nm,可测量200~800 nm发光材料

偏压PL

500/pcs

日本KIMMON

30mW

偏振PL、偏压PL,(325nm、405nm激光器等)

低温、变温PL 

500/h

美国ARS

DE204SI

低温、变温PL,

8

TRPL(时间分辨光致发光光谱)

室温TRPL

500/pcs++

英国EI

FLS920

室温TRPL(325nm、405nm激光器)

偏压PLE

PLE谱图(氙灯等)

低温、变温TRPL

低温、变温TRPL ,可以测试量子产率

9

深紫外发光光谱测试设备

室温稳态

1000开机费+1000/谱线

中国


1.PL谱激发波长:(1)177nm;(2)210nm-330nm可调;(3)345nm-495nm可调;(4)690nm-990nm可调。
2、CL谱电子束能量:0~30keV可调;
3、波长扫描范围:170nm-800nm;
4、温度范围:8-350K;
5、时间分辨率(瞬态光谱):2ps

室温瞬态

1000开机费+2000/谱线

低温稳态

1500开机费+1500/谱线


低温瞬态

1500开机费+3000/谱线




10

椭偏仪

各种介质膜厚度及折射率

300/点

美国J.A.Woollam

  M-2000 DI

波长195~1680 nm;可放置6英寸,角度45~90连续可调节

11

SEM(扫描电镜)

1.形貌分析

600/h

日立

日立S4800

冷场电镜,分辨率高;表面形貌、截面形貌,

2.成分分析

800/h

12

TEM

透射形貌、成分分析

1000/h

日本电子、FEI

 JEOL 2010、F20

分辨率0.1 nm,电压200 kV

13

FIB

聚焦离子束芯片解剖、加工

1500元/h

美国FEI

 Helios 650S

半导体芯片解剖、加工、观察

14

FIB+TEM整包

透射样品制样+观察

10000/h

美国FEI-FIB+F20

Helios 650,FEI F20

包括FIB,透射切样,形貌、厚度、成分的观察

15

台阶仪

 测试样品台阶高度

50/点

美国科磊公司

KLA-Tencor P-6

芯片加工过程中的监控、器件尺寸、台阶厚度

16

霍尔效应

测试样品掺杂浓度

150/样

安捷伦


外延片掺杂浓度检测,适用于平板、单层薄膜

17

四探针测试

测试薄膜电阻率、方块电阻等

200/pcs

  国产

RTS-8

测量范围:电阻率:10-4-105Ω  电导率:10-5-104 s/cm 方块电阻:10-3-106Ω/

18

低温强磁场物性测试系统(EMMS)

可进行交直流电阻、微分电阻、霍尔效应和伏安特性等测量



evercool-II

样品腔尺寸:净内径为26 mm;基系统磁场强度:纵向磁体:±9 T;场均匀性:±0.01%
磁场分辨率:  0.02 mT    0<H<1 T;0.2 mT 1<H<9 T;最大测量电阻:4MΩ
温度范围:1.9-400K

 


6. 设备及案例

 

(1)高分辨率XRD

      servers/1533707985.png

2Veeco D3100型原子力显微镜(AFM

           servers/1533708004.png 

 

3)双束FIB

       servers/1533708177.png



4FIB透射制样

 

  servers/1533708214.png

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