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晶圆电镀和薄膜电路定制服务
周 期:5个工作日
地 点:
价 格:600起/样
1、为客户提供的半导体晶圆、陶瓷片和玻璃片等基片的电镀金服务; 2、为客户提供晶圆和薄膜电路的镀金定制加工服务,包括光刻、激光打孔、溅射、电镀、种子层去除、划片等服务
服务描述

1.     电镀原理

电镀是指利用电解的方法使金属或合金沉积在被镀件表面,以形成均匀、致密、结合力良好的金属层的过程。电镀金的阳极一般采用铂金钛网材料,当电源加在铂金钛网(阳极)和镀件(阴极)之间时,溶液会产生电流,并形成电场。阳极发生氧化反应释放出电子,同时阴极得到电子发生还原反应。阴极附近的络合态金离子与电子结合,以金原子的形式沉积在镀件表面。镀液中的络合态金离子在外加电场的作用,向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度消耗。电镀的主要目的是在镀件上沉积一层致密、均匀、无孔洞、无缝隙、无其它缺陷的金。


2.     应用范围

电镀金层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强,因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用。例如:在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块;在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等;在雷达上金镀层作为气桥被应用;电镀还被用于晶圆级封装领域的TSV、UBM等的制作,以及用于各种引线键合的键合面等等。


3.     一般工艺过程

1) 在基片上溅射Ti/Au、TiW/Au等金属作为电镀的种子层;

2) 涂布光刻胶,光刻显影出电镀所需的图形;

3) 清洗后进行电镀金;

4) 去除光刻胶;

5) 蚀刻图形以外的种子层;


4.     设备和镀金照片

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晶圆电镀台

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晶圆电镀金

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精细线路电镀金

5.     技术指标

1)金属化体系           

构成

厚度

金(Au)

1~6um

镍(Ni)

0.10~0.20um

钛钨(TiW)

0.08~0.12um

氮化钽(TaN)

0.02~0.06um


2)图形化

项目

参数

最小线宽

0.02mm

最小缝宽

0.02mm

线缝误差

±0.002mm

套刻精度

<0.01mm


3)性能

项目

参数

方阻范围

20~100Ω/□

电阻精度

<±10%

电阻温度系数

<±150ppm/℃

电极耐温特性

400℃×10min


4)不同金属化的焊接方式

金属结构 

功能

适用焊料

TiW/Au

提供微带线

AuSn, AuGe, AuSi,导电胶

TaN/TiW/Au

微带线电阻器

AuSn, AuGe, AuSi,导电胶

TiW/Ni/Au

提供微带线

AuSn, AuGe, AuSi, PbSn,导电胶

TaN/TiW/Ni/Au

微带线电阻器

AuSn, AuGe, AuSi, PbSn,导电胶


5)通孔金属化

提供氧化铝基板电路的通孔金属化,以方便接地,通孔电阻小于等于50毫欧姆。 可加工的金属化通孔最小直径为0.1mm,基片厚度与孔径的标准比例是1:1,薄膜基片所能承受最小比例是0.6。最小孔距为0.8×基片厚度×2;孔边缘到导体带线的最小距离是63.5微米;孔到基片边缘的最小距离是0.8×基片厚度×1.5;孔位最小偏差为50微米。

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       通孔规范示意图


   6.     客户需提供的加工信息

1)单步镀金需求:基片类型和尺寸;单面/双面/通孔;镀金厚度;图形有效面积等必要信息。

2)镀金电路定制加工服务:基片类型、尺寸和数量;加工图纸;镀金厚度和精度要求等必要信息。


7.     加工基本收费

1晶圆镀金:600-1500/样

2)复杂定制化加工服务:4000/样起