米格实验室晶圆检测专区专门针对8寸以下或12寸晶圆部分项目检测包含了，几何尺寸、晶向、宏观缺陷、平面度、缺陷、粗糙度、晶型、电阻率、结晶质量、晶圆表面金属残留、载流子浓度、外延层厚度等项目测试，均是整片测试。
几何尺寸——直径、厚度、主定位边尺寸等
晶向——定位边取向、晶面取向、角度偏离
宏观缺陷——裂纹、六方空洞、多型、崩边等
平面度——翘曲度、弯曲度、总厚度变化、局部厚度偏差等
缺陷——BSF、Carrot、Downfall、Growth、Pit 、 Primary 、 SSF 、 Step、bunching、Triangle、BPD、TED、TSD、MPD等
粗糙度/晶型
电阻率——低阻、高阻
结晶质量
晶圆表面金属残留——TXRF、VPD ICPMS
载流子浓度、外延层厚
衬底、膜层应力分析
其他
更多测试项目可联系平台工作人员！
单晶材料检测设备-平面度分析仪 |
| 单晶材料检测设备-晶圆分析仪 光学表面分析仪是针对SiC单晶片与外延片行业的表面缺陷的检查分析仪器。 设备型号：SICA82ZJU 生产厂家：Lasertec 可检尺寸：4寸、6寸、8寸兼容，厚度范围300μm-800μm 可检材料：SiC、SiC外延 测试内容：划痕（scratch），凹坑（pit），突起（bump），微管（micropipe），胡萝卜（carrot），三角形（triangle），Downfall，堆垛层错缺陷（Stacking Fault），基平面位错（BPD）、颗粒物（particle）等 |
| 单晶材料检测设备-原子力显微镜 原子力显微镜用来测量样品表面的粗糙度。 设备型号：Dimension XR 生产厂家：Bruker 可检尺寸：最大210mm直径 可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN |
| 单晶材料检测设备-高阻测试仪 非接触高阻电阻率测试仪是通过非接触电容探测系统来计算被测晶片的电阻。 设备型号：COREMA-WT 生产厂家：Semimap 可检尺寸： 50至150mm 可检材料：Si、SiC、GaAs 测试范围：105Ω·cm ~1012Ω·cm 偏差：＜10% |
| 单晶材料检测设备-低阻测试仪 电阻率测试仪采用涡流法测量半导体材料的方块电阻或体电阻。 设备型号：LEI-1510EA 生产厂家：semilab 可检尺寸：2~8寸 可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN 方阻测量范围：0.035ohm/sq-3200 ohm/sq |
| 单晶材料检测设备-多功能高分辨X射线衍射仪 XRD在半导体领域主要被用于测试单晶材料的摇摆曲线 设备型号：X' PERT 3 MRD 生产厂家：Malvernpanalytical 可检尺寸：2~8寸 可检材料：SiC 重复性：0.0001° |
| 单晶材料检测设备-全反射X射线荧光光谱仪 TXRF是用于分析晶圆表面金属污染的重要手段之一 设备型号：TREX 610T 生产厂家：Technos 可检尺寸：4-12寸 可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN等材料 检出限：E10atom/cm2 可测试元素 W靶材： Si、P、S、Cl、Ar、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I、Xe、Cs、Ba、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu Mo靶材： Ga、Ge、As、Se、Br、Kr、Rb、Sr、Y、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At、Rn、Fr、Ra、Ac、Th、Pa、U |
| 单晶材料检测设备-电感耦合等离子体质谱 VPD ICP-MS自动进样与ICP-MS结合，分析晶圆表面金属与部分非金属污染的测试方法设备型号：安捷伦7700、ICAP Q 可检尺寸：2-12寸 可检材料：Si、SiC等材料 检出限：E10/E9atom/cm2 元素组1： Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn,Ga, As, Se, Sr, Rb, Cd, Cs, Ba, Tl, Pb, U, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, Ta,W, Re, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th 元素组2：Ru, Rh, Pd, Sn, Sb, Hf, Ir, Pt, Au, Ag, Te 元素组2：Ru, Rh, Pd, Sn, Sb, Hf, Ir, Pt, Au, Ag, Te |
米格实验室晶圆检测专区专门针对8寸以下或12寸晶圆部分项目检测包含了，几何尺寸、晶向、宏观缺陷、平面度、缺陷、粗糙度、晶型、电阻率、结晶质量、晶圆表面金属残留、载流子浓度、外延层厚度等项目测试，均是整片测试。
几何尺寸——直径、厚度、主定位边尺寸等
晶向——定位边取向、晶面取向、角度偏离
宏观缺陷——裂纹、六方空洞、多型、崩边等
平面度——翘曲度、弯曲度、总厚度变化、局部厚度偏差等
缺陷——BSF、Carrot、Downfall、Growth、Pit 、 Primary 、 SSF 、 Step、bunching、Triangle、BPD、TED、TSD、MPD等
粗糙度/晶型
电阻率——低阻、高阻
结晶质量
晶圆表面金属残留——TXRF、VPD ICPMS
载流子浓度、外延层厚
衬底、膜层应力分析
其他
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单晶材料检测设备-平面度分析仪 |
| 单晶材料检测设备-晶圆分析仪 光学表面分析仪是针对SiC单晶片与外延片行业的表面缺陷的检查分析仪器。 设备型号：SICA82ZJU 生产厂家：Lasertec 可检尺寸：4寸、6寸、8寸兼容，厚度范围300μm-800μm 可检材料：SiC、SiC外延 测试内容：划痕（scratch），凹坑（pit），突起（bump），微管（micropipe），胡萝卜（carrot），三角形（triangle），Downfall，堆垛层错缺陷（Stacking Fault），基平面位错（BPD）、颗粒物（particle）等 |
| 单晶材料检测设备-原子力显微镜 原子力显微镜用来测量样品表面的粗糙度。 设备型号：Dimension XR 生产厂家：Bruker 可检尺寸：最大210mm直径 可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN |
| 单晶材料检测设备-高阻测试仪 非接触高阻电阻率测试仪是通过非接触电容探测系统来计算被测晶片的电阻。 设备型号：COREMA-WT 生产厂家：Semimap 可检尺寸： 50至150mm 可检材料：Si、SiC、GaAs 测试范围：105Ω·cm ~1012Ω·cm 偏差：＜10% |
| 单晶材料检测设备-低阻测试仪 电阻率测试仪采用涡流法测量半导体材料的方块电阻或体电阻。 设备型号：LEI-1510EA 生产厂家：semilab 可检尺寸：2~8寸 可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN 方阻测量范围：0.035ohm/sq-3200 ohm/sq |
| 单晶材料检测设备-多功能高分辨X射线衍射仪 XRD在半导体领域主要被用于测试单晶材料的摇摆曲线 设备型号：X' PERT 3 MRD 生产厂家：Malvernpanalytical 可检尺寸：2~8寸 可检材料：SiC 重复性：0.0001° |
| 单晶材料检测设备-全反射X射线荧光光谱仪 TXRF是用于分析晶圆表面金属污染的重要手段之一 设备型号：TREX 610T 生产厂家：Technos 可检尺寸：4-12寸 可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN等材料 检出限：E10atom/cm2 可测试元素 W靶材： Si、P、S、Cl、Ar、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、I、Xe、Cs、Ba、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu Mo靶材： Ga、Ge、As、Se、Br、Kr、Rb、Sr、Y、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At、Rn、Fr、Ra、Ac、Th、Pa、U |
| 单晶材料检测设备-电感耦合等离子体质谱 VPD ICP-MS自动进样与ICP-MS结合，分析晶圆表面金属与部分非金属污染的测试方法设备型号：安捷伦7700、ICAP Q 可检尺寸：2-12寸 可检材料：Si、SiC等材料 检出限：E10/E9atom/cm2 元素组1： Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn,Ga, As, Se, Sr, Rb, Cd, Cs, Ba, Tl, Pb, U, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, Ta,W, Re, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Th 元素组2：Ru, Rh, Pd, Sn, Sb, Hf, Ir, Pt, Au, Ag, Te 元素组2：Ru, Rh, Pd, Sn, Sb, Hf, Ir, Pt, Au, Ag, Te |
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