"1、紫外光波长：350nm～450nm 2、光强均匀性：2% 3、分辨率: 0.8μm； 4、正面套准精度：0.5μm 5、背面套准精度：1.0μm 6、曝光模式：真空接触、软接触、硬接触、接近式 7、基片尺寸：6inch （向下兼容）"

1、图形分辨率高，可用于6inch以下固体样品的微米级尺寸的曝光。 2、线宽工艺误差<10% 3、分辨率：0.8µm 4、正面套准精度：±0.5μm； 5、背面套准精度：±1.0μm 6、紫外光波长：350nm-450nm 7、光强均匀性2%（6inch 衬底）

6inch   （向下兼容）    

微纳器件加工中曝光微米级结构图形，曝光精度高，垂直度好，图形分辨率高，广泛应用于芯片制造，也可以提供全套光刻、刻蚀、镀膜等工艺

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