光刻掩模版，别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形，实现对光线的遮挡或透过功能，是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。我们利用光罩可以实现微电子工艺中的图形传递。光刻掩模版的加工技术主要有两种：其一为激光直写技术；其二为电子束直写部分，两种技术区别在于光源不同，实现的精度有所区别。

掩模版种类及其应用范围普通版 ：一般使用苏打玻璃或者石英，常见2寸到10寸，线宽一般在1um以上，主要用户接触式曝光机，转移图形与版图尺寸为1:1，实现同比例的图形转移。

Stepper版：一般使用石英版，常见为5寸和6寸版，线宽一般在1um以上，主要用于Stepper曝光机台，转移图形与版图尺寸实际比例一般是4:1或者5:1，实现将版图图形缩小4~5倍之后投射于目的片上。

纳米压印版：一般用石英版，刻蚀其表面的金属形成沟槽和透光不透光的组合，尺寸一般需要5寸及以上，采用电子束直写的技术实现表面nm图形的转移，一般线宽在200~800nm左右，借助掩模版对光刻胶的压力、同时辅助紫外曝光，最终实现纳米级图形的转移。

金属掩模版：一把采用不锈钢，在不锈钢表面通过激光加工或者腐蚀的方式，实现表面镂空的图形设计，最小线宽一般要50um，能够用于电子束蒸发中，用于电极图形的转移。

文章最后附有推介版图尺寸类型对应能做到的精度及线宽，为大家提供参考。

光刻掩模版加工工艺介绍及相关设备

电子束直写 Vector Scan（莱卡）

技术参数与能力：

工作电压：50kV

电流密度：10 A/cm2

扫描区域：150 mm*150mm

套刻精度：12 nm(3ơ)

条宽均匀：13 nm(3ơ)

版图尺寸：只可以制作6025的石英版掩模

最小条宽：90 nm+-12 nm

激光束直写（美国） Raster Scan

技术参数与能力：

 扫描区域：150 mm*150mm

 套刻精度：12 nm(3ơ)

 条宽均匀：15 nm(3ơ)

 版图尺寸：6025、6012、5009的石英版掩模版

 最小条宽：0.8 um+-50nm

无掩膜激光直写光刻机

技术参数与能力：

最小条宽：0.8 um+-50nm

工作波长：405 nm

分辨率：0.8 um

条宽均匀度：150 nm(3ơ)

套刻精度：150 nm

版图尺寸：4~9寸石英、苏打玻璃掩模版、3~8寸硅片

多腔室电感耦合等离子体刻蚀机ICP

技术参数与能力：

刻蚀：Cl基刻蚀腔：刻蚀Cr （已开发）

F基刻蚀腔： 刻蚀MoSiX （已开发）

样品尺寸：5寸、6寸

刻蚀SiO2、SiNx、Cr等金属的刻蚀

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